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型号 SPD01N60C3
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252
SPD01N60C3 PDF
代理商 SPD01N60C3
产品培训模块 CoolMOS™ CP Switching Behavior
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
产品目录绘图 Mosfets D-PAK, D2-PAK, TO-252
标准包装 1
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 800mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 6 欧姆 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3.9V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 100pF @ 25V
功率 - 最大 11W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装 PG-TO252-3
包装 标准包装
其它名称 SPD01N60C3INDKR
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